Fig.2 shows a snubber circuit. Answer the following Questions

図2は, スナバ回路の回路図である。 以下の問に答えよ。

1. Exprain the main function of the resisitor R.

抵抗器 R の主目的を述べよ。

2. Find the required capacitance of C to suppress the dv/dt less than 1 kV/ us where the

initial collector current is 2000A before the turn-off.

ターンオフ前のコレクタ電流が 2000 A の時, dv/dt を 1kV/μs 以下に抑制するため

のCの静電容量を求めよ。

3. Draw the turn-off waveform of the collector-to-emitter voltage of the IGBT where the

di/dt is assumed to be 10kA/ μs and the final voltage is 2000 V.

IGBT のターンオフ時の di/dt を 10kA/μs, 最終電圧を 2000 V として, コレクタ・

エミッタ間電圧の波形を描け。

4. Find the fall time and voltage where the collector current reach zero.

降下時間とコレクタ電流が零になった時の電圧を求めよ。

D空 R

Fig. 2 Snubber circuit./nThe below Table shows the specification required for a gate drive circuit and the driven

MOSFETs in a buck converter. Answer the following Questions

下表は, 降圧チョッパ回路に用いるゲートドライブ回路と駆動される MOSFET の仕様である。 以

下の問に答えよ。

DC input voltage

DC output voltage

DC output current

Switching frequency

Gate resistor

Gate driving voltage

Drain-to-source voltage

Drain current

On-state resistance

Forward transfer conductance

Threshold voltage

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

E

Vont

Lout

R₂

E

Vas

Ia

Ran

Uf-

Vih

Ci

Coss

Cras

100 V

50 V

10 A

20 kHz

10 2

+10 V

250 V

30 A

100 m2

20 S

5 V

10,000 pF

1000 pF

100 pF

1. Find the rise time Tr and the fall time Tf.

上昇時間 Tr と降下時間 Tf を求めよ。

2. Find the di/dt across the MOSFET in turn-on and turn-off transitions.

MOSFET がターンオン・ターンオフする際の di/dt を求めよ。

3. It is requested to reduce the dv/dt to a half in a turn-on transition without any change in the

turn off transition. Answer the possible ways.

ターンオフ時には影響を与えずに, ターンオン時のdv/dt を2倍にしたい。 可能な方法を答え

よ。